熱酸化を用いたSi量子井戸とエルビウム添加(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)

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概要

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• 希土類元素であるErをドープしたSiは、光通信波長の1.5μm帯で発光するため、シリコンフォトニクスにおける発光材料として有望である。ErドープSiは低温で強い発光を示すものの、室温での発光が1/1000程度に低下してしまう温度消光が問題である。本稿では、温度消光抑制法として、Si量子井戸を用いる方法を紹介する。Si-on-insulator (SOI)構造を熱酸化することによるSi量子井戸の作製およびErドープした構造の作製について述べる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-12-12

著者

• 和田 一実

  東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

• 和田 一実

  東京大学大学院

• 大崎 龍介

  東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

• 石川 靖彦

  東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

• 山下 義文

  岡山大学大学院自然科学研究科産業創成学専攻

• 上浦 洋一

  岡山大学大学院自然科学研究科産業創成学専攻

• 石川 靖彦

  東大院工

• 和田 一実

  東大院工

• 石川 靖彦

  東京大学大学院工学系研究科

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