少数キャリア注入による GaAs ダイオードの水素誘起劣化
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概要
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炭素ドープ層中に混入している水素不純物が、少数キャリア注入によりリーク電流を増加させるようなデバイス劣化を誘起することを見出した。遊離水素ドナーは速い劣化を、炭素・水素(C-H)結合は遅い劣化を、それぞれ引き起こすことがわかった。また、CH結合が少数キャリア注入によって簡単に分解し、分解により放出された遊離水素ドナーがデバイス劣化の原因になっていることを見出した。さらに、この分解機構が再結合促進欠陥反応(REDR)ではなく2個の電子を捕獲することに関係した荷電状態効果によって起きることを議論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-24
著者
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