1p-T-5 電子励起下におけるGaAs中の炭素・水素結合の不安定化

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1998-03-10

著者

• 和田 一実

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 和田 一実

  東京大学大学院

• 伏見 浩

  新日本無線(株)

• 伏見 浩

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

関連論文

• Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価
• MOVPE 法 GaAs の炭素ドーピングに対するキャリアガス流量の影響 : エピタキシー I
• 熱酸化を用いたSi量子井戸とエルビウム添加(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• 5. シリコンフォトニクス(次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術)
• シリコンフォトニクスの基礎と応用
• シリコンフォトニクスの光インターコネクションへの応用
• 1a-N-1パターン基板上にMBE成長されたGaAs量子細線の光学特性
• C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造に対する窒素プラズマ処理の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• GaAs系HBTの信頼性と結晶欠陥の相関
• 高濃度炭素ドープGaAs中の水素および炭素関連欠陥による通電劣化
• 高濃度炭素ドープGaAs中の水素および炭素関連欠陥による通電劣化
• 1p-T-5 電子励起下におけるGaAs中の炭素・水素結合の不安定化
• 少数キャリア注入による GaAs ダイオードの水素誘起劣化
• C-6-8 炭素によるSiドープGaNの高抵抗化機構(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-10-3 ECRスパッタを用いた絶縁ゲートAlGaN/GaN HFETのDC特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• MOVPE法炭素ドープGaAs成長における不活性炭素の混入 : 気相成長III
• 27pC11 MOVPE成長GaAsの炭素濃度制御(気相成長IV)
• C-10-5 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおけるバッファ層の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 少数キャリア注入処理によるIII-V族化合物半導体の損傷消去の促進
• 1p-TE-4 積層欠陥の成長からみたシリコン中の点欠陥の拡散
• CI-1-2 通信応用にむけたシリコンナノフォトニックデバイス集積技術(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
• 28a-D-12 再結合促進による不純物の異常拡散
• ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響
• 半導体量子微細構造制御の基本的限界
• 結晶工学
• 液晶工学
• 結晶工学
• 量子マイクロ構造制御の基本的限界 (半導体プロセス・材料・評価)
• 4p-E-3 カソードルミネセンス法による超格子界面の研究
• C-10-9 炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層を用いたAlGaN/GaN HFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-8 ECRスパッタ積層SiN/AlGaN/GaN HFETにおける蓄積電荷の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaN HFET のMIMゲート構造による界面電荷の制御
• AlGaN/GaN HFET に対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果
• C-3-55 光電子融合にむけたSi・Ge・石英モノリシックフォトニック集積(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク