C-10-5 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおけるバッファ層の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-09-01
著者
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深澤 義道
新日本無線株式会社研究所
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伏見 浩
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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伏見 浩
新日本無線(株)
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伏見 浩
新日本無線株式会社
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深澤 義道
新日本無線株式会社技術開発本部
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深澤 義道
新日本無線株式会社
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伏見 浩
新日本無線株式会社技術開発本部
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