伏見 浩 | 新日本無線株式会社技術開発本部

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概要

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• 伏見 浩

  新日本無線(株)

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  新日本無線株式会社

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• 柿澤 秀介

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• 深井 雅之

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著作論文

• C-10-5 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおけるバッファ層の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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