AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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高周波用AlGaN/GaN HFETにおいて,分極電荷を制御できればデバイス特性の向上に有効である.そこで,ECRスパッタで成膜したSiNを用いたMetal-Insulator-Metal (MIM)ゲート構造によりSiN/AlGaN界面における電荷を制御できるか否かを,電荷の発生機構および蓄積の観点から確認した.電荷の発生は,SiN膜中ではなく,SiN/AlGaN界面におけるPoole-Frenkel効果により律則されていることを,I_g-V_g特性の温度依存性から確認した.また,電荷の蓄積は,C-V特性で低周波数側での容量が増加したこと,および二層絶縁膜構造でドレイン電流が制御できないこと,から浮遊ゲート両端で起きている.
- 2011-07-22
著者
-
脇 英司
新日本無線株式会社
-
伏見 浩
新日本無線(株)
-
深澤 義道
新日本無線株式会社技術開発本部
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深澤 義道
新日本無線株式会社
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伏見 浩
新日本無線株式会社技術開発本部
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脇 英司
新日本無線株式会社技術開発本部
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