C-10-9 炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層を用いたAlGaN/GaN HFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 2011-08-30
著者
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伏見 浩
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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伏見 浩
新日本無線(株)
-
深井 雅之
新日本無線株式会社技術開発本部
-
柿澤 秀介
新日本無線株式会社技術開発本部
-
伏見 浩
新日本無線株式会社 技術開発本部
-
深井 雅之
新日本無線株式会社 技術開発本部
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