AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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AlGaN/GaN HFETに必要な高抵抗バッファ層を,フェルミレベル効果の利用による低温成長の炭素添加SiドープGaNで実現し,HFETに適用することで良好なDC特性が得られた.炭素添加による高抵抗化SiドープGaNは,950℃で低温成長しており,1000℃以上の熱履歴に対しても高抵抗を維持できる.これをバッファ層に適用したHFETでは,バッファリークが低減できるため,良好なピンチオフ動作と10^5程度の高いON/OFF比を持つ特性が実現できた.
- 2011-07-22
著者
-
伏見 浩
新日本無線(株)
-
伏見 浩
新日本無線株式会社技術開発本部
-
深井 雅之
新日本無線株式会社技術開発本部
-
柿澤 秀介
新日本無線株式会社技術開発本部
-
深井 雅之
新日本無線株式会社 技術開発本部
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