柿澤 秀介 | 新日本無線株式会社技術開発本部

スポンサーリンク

概要

• 柿澤 秀介の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 新日本無線株式会社技術開発本部の論文著者

関連著者

• 伏見 浩

  新日本無線(株)

• 深井 雅之

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 柿澤 秀介

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社 技術開発本部

• 深井 雅之

  新日本無線株式会社 技術開発本部

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社技術開発本部

著作論文

• C-10-9 炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層を用いたAlGaN/GaN HFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaN HFET に対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果

スポンサーリンク