伏見 浩 | 新日本無線(株)
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概要
関連著者
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伏見 浩
新日本無線(株)
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伏見 浩
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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伏見 浩
新日本無線株式会社 技術開発本部
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和田 一実
東京大学大学院
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脇 英司
新日本無線株式会社
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伏見 浩
新日本無線株式会社
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深澤 義道
新日本無線株式会社
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深澤 義道
新日本無線株式会社技術開発本部
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深井 雅之
新日本無線株式会社技術開発本部
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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伏見 浩
新日本無線株式会社技術開発本部
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脇 英司
新日本無線株式会社技術開発本部
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柿澤 秀介
新日本無線株式会社技術開発本部
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深井 雅之
新日本無線株式会社 技術開発本部
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和田 一実
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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和田 一実
マサチューセッツ工科大
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和田 一実
マサチューセッツ工科大学材料理工学科
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深澤 義道
新日本無線株式会社研究所
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安達 龍彦
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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伏見 浩
Nttフォトニクス研究所
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和田 一実
NTT LSI研究所
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和田 一実
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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出口 忠義
新日本無線株式会社研究所
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出口 忠義
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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山下 明一
新日本無線株式会社研究所
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江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
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伏見 浩
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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伏見 浩
NTT LSI 研究所
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深井 雅之
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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Egawa T
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
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Egawa Takashi
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
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山下 明一
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
著作論文
- C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造に対する窒素プラズマ処理の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- GaAs系HBTの信頼性と結晶欠陥の相関
- 高濃度炭素ドープGaAs中の水素および炭素関連欠陥による通電劣化
- 高濃度炭素ドープGaAs中の水素および炭素関連欠陥による通電劣化
- 1p-T-5 電子励起下におけるGaAs中の炭素・水素結合の不安定化
- 少数キャリア注入による GaAs ダイオードの水素誘起劣化
- C-6-8 炭素によるSiドープGaNの高抵抗化機構(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-10-3 ECRスパッタを用いた絶縁ゲートAlGaN/GaN HFETのDC特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-5 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおけるバッファ層の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響
- C-10-9 炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層を用いたAlGaN/GaN HFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-8 ECRスパッタ積層SiN/AlGaN/GaN HFETにおける蓄積電荷の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaN HFET のMIMゲート構造による界面電荷の制御
- AlGaN/GaN HFET に対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果