山下 明一 | 新日本無線株式会社研究所

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概要

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関連著者

• 山下 明一

  新日本無線株式会社研究所

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 出口 忠義

  新日本無線株式会社研究所

• 中川 敦

  新日本無線株式会社研究所

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 中川 敦

  新日本無線株式会社

• 鎌田 厚

  新日本無線

• 出口 忠義

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 脇 英司

  新日本無線株式会社

• 小野 悟

  新日本無線株式会社

• 中川 敦

  新日本無線

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 中川 敦

  新日本無線株式会社 研究所

• 安達 龍彦

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 伏見 浩

  新日本無線(株)

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社

• 深井 雅之

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 山下 明一

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 深井 雅之

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社 技術開発本部

• 深井 雅之

  新日本無線株式会社 技術開発本部

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著作論文

• 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-6-8 炭素によるSiドープGaNの高抵抗化機構(C-6.電子部品・材料,一般セッション)

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