山下 明一 | 新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

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概要

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• 同名の論文著者
• 新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンターの論文著者

関連著者

• 安達 龍彦

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 山下 明一

  新日本無線株式会社研究所

• 伏見 浩

  新日本無線(株)

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社

• 深井 雅之

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 山下 明一

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 深井 雅之

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社 技術開発本部

• 深井 雅之

  新日本無線株式会社 技術開発本部

著作論文

• C-6-8 炭素によるSiドープGaNの高抵抗化機構(C-6.電子部品・材料,一般セッション)

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