伏見 浩 | 新日本無線株式会社

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概要

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関連著者

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 伏見 浩

  新日本無線(株)

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社 技術開発本部

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• 深澤 義道

  新日本無線株式会社研究所

• 安達 龍彦

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 脇 英司

  新日本無線株式会社

• 深澤 義道

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 深澤 義道

  新日本無線株式会社

• 出口 忠義

  新日本無線株式会社研究所

• 出口 忠義

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 山下 明一

  新日本無線株式会社研究所

• 江川 孝志

  名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター

• 深井 雅之

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• Egawa T

  Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University

• Egawa Takashi

  Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University

• 山下 明一

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 深井 雅之

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 脇 英司

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 深井 雅之

  新日本無線株式会社 技術開発本部

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著作論文

• C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造に対する窒素プラズマ処理の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-6-8 炭素によるSiドープGaNの高抵抗化機構(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-10-3 ECRスパッタを用いた絶縁ゲートAlGaN/GaN HFETのDC特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-5 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおけるバッファ層の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響

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