C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造に対する窒素プラズマ処理の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-03-04

著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 出口 忠義

  新日本無線株式会社研究所

• 出口 忠義

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 安達 龍彦

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 伏見 浩

  新日本無線(株)

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社 技術開発本部

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