DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• GaNは高出力・高周波デバイス用材料として実用化が進められている.Si基板は良好な熱伝導率を有し,廉価で高品質大口径基板が手に入り,GaN系デバイス用基板として有望である.しかし,Si基板上のIII族窒化物半導体では格子定数のミスマッチのため,GaN結晶中に深い準位を形成する可能性がある.本報告ではDLTS法を用いてSi基板上n-GaN中の深い準位を評価した結果を報告する.

• 2010-05-06

著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター

• 渡邉 新

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• Egawa T

  Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• 渡邉 新

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

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