Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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概要

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• 窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN系HEMT)は高周波、高速動作デバイスとして現在研究が盛んに行われている。GaNの成長基板としては現在Sapphireが主流であるが、それに取って代わる成長基板への要望も大きい。例えば、電子デバイスにおいては、既存の製造ラインに乗せることができる大口径基板への要望は強い。GaN系半導体のMOCVD成長では基板温度が1100℃近くにも達するため、成長基板としてその温度における成長雰囲気中で熱分解しないことが必要である。その点でSiは比較的良好な耐熱性を備え、また電子デバイスに重要な放熱性に優れ、安価で高品質大口径基板が容易に手に入る。本研究ではSapphireに対し様々な利点があるSiを成長基板として用い、特に放熱性についてSapphireと比較し検討を行った。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-10-06

著者

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 片山 義章

  名古屋工業大学機能工学専攻

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