[Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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概要
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超低雑音・低歪特性を同時に有するAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタを開発したので、ここに報告する.本デバイスは2GHzにおいて、極めて低い最小雑音指数0.4dBと高い付随電力利得16dB を有し、かつ、相互変調歪の入力3次インターセプトが+13dBmと非常に高い.今回、このような良好な特性が得られたのは、次の3点による.(1)良好なエピ層による高い相互コンダクタンス特性と低バッファー・リークの実現・(2)熱酸化による良好な素子分離特性の実現.(3)Pd-Si合金ゲートによる超低ゲートリークの達成.本結果は元来耐サージ性の高いAlGaN/GaN HFET が低雑音と広ダイナミック・レンジが同時に要求される移動体通信システムのフロントエンドに極めて有望であることを実証するものである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-24
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石井 基範
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
神保 孝志
三重大学電気電子工学科
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
石井 基範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
石井 基範
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
-
池田 義人
松下電器産業
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