井上 薫 | パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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概要
関連著者
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
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松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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井上 薫
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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正戸 宏幸
松下電器
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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西井 勝則
松下電器
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電器産業
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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西井 勝則
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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松野 年伸
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
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西辻 充
松下電子工業
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引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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池田 義人
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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正戸 宏幸
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
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井上 薫
パナソニック株式会社 先端技術研究所
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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藤本 和久
松下電子工業(株)電子総合研究所
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太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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川島 克彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
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川島 克彦
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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藤本 和久
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
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井上 薫
パナソニック株式会社先端技術研究所
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太田 順道
松下電子工業 半導体デバイス研セ
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神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石堂 輝樹
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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片山 琢磨
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
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神田 敦彦
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石堂 輝樹
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社
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神保 孝志
名古屋工業大学
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西井 勝則
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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神田 敦彦
松下電器産業
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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西井 勝則
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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石井 基範
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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神保 孝志
三重大学電気電子工学科
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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広瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石井 基範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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大塚 信之
松下電器半導体センター
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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石井 基範
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター
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Otsuka Nobuyuki
Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
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Otsuka Nobuyuki
Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
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Otsuka Nobuyuki
Telecommunications Advancement Organization Of Japan Sendai Research Center
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Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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大塚 信之
パナソニック株式会社先端技術研究所
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田邊 充
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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田村 彰良
松下電子工業(株)電子総合研究所
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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森本 滋
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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井腰 文智
パナソニック株式会社
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宇田 智哉
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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水谷 研治
松下電器産業(株) BIU
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水谷 研治
松下電器産業(株)先端技術研究所
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片山 琢磨
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
松下電子工業(株)電子総合研究所
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西井 勝則
松下電子半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電子半導体デバイス研究センター
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正戸 宏幸
松下電子半導体デバイス研究センター
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松野 年伸
松下電子半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電子半導体デバイス研究センター
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柳原 学
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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宇田 智哉
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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田中 毅
松下電子工業 電子総研
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井上 薫
松下電器
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横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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水谷 研治
松下電器産業(株)中央研究所
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中澤 敏志
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
横山 隆弘
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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上野 弘明
パナソニック株式会社先端技術研究所
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水谷 研治
パナソニック株式会社先端技術研究所
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工藤 祐治
パナソニック株式会社先端技術研究所
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村田 智洋
パナソニック株式会社
著作論文
- EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 自己整合プロセスを用いた単一電源動作パワーHFET
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- STOキャパシタを内蔵した0.5〜5.3GHz広帯域アンプMMICの試作
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
- C-10-1 EBSD法によるSi上AlGaN/GaNヘテロ構造の歪み分布解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ノーマリオフ型セルフアライメント構造PJ-HFET
- SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- SC-6-2 熱酸化プロセスのAlGaN/GaN系ヘテロ接合FETへの応用
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系ヘテロ構造FET
- 熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系ヘテロ構造FET
- 熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系ヘテロ構造FET
- AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果型トランジスタの高耐圧化技術
- 選択酸化分離を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ
- ナイトライド系半導体の電子デバイス展開(半導体エレクトロニクス)
- SC-7-7 窒化物系電子デバイスの応用と展望
- 高周波AlGaN/GaNヘテロ構造FET
- 高周波AlGaN/GaNヘテロ構造FET
- SC-5-7 SiC基板上AlGaN/GaN HFETの高周波特性
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- UVリソグラフィーを用いたサブクォーターミクロンゲート AlGaAs/InGaAs HEMT
- B-9-6 フレーム直接接続型両面放熱面実装インバータパッケージ(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング
- C-10-5 統合設計プラットフォームにおけるGaNデバイスの動的挙動モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)