低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
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概要
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超低歪み1μmゲートInGaAs HFET、および0.25μmゲートInGaAs HFETを用いたSTOキャパシタ内蔵広帯域アンプMMICを開発した。1μmゲートInGaAs HFETを用いた広帯域アンプは、70MHz〜1.2GHzの周波数帯域において、2次相互変調歪み(OIP_2)+78dBm、3次相互変調歪み(OIP_3)+34dBm、利得15dB以上、雑音指数2.0dB以下の良好な特性を示した。また、広帯域アンプMMICは、0.5〜5.3GHzの帯城を有し、2.4GHzにおいて利得19.5dB、雑音指数3.6dB、消費電力330mWの特性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-11-05
著者
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西辻 充
松下電子工業
-
藤本 和久
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
川島 克彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
-
川島 克彦
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
藤本 和久
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
太田 順道
松下電子工業 半導体デバイス研セ
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