GaAs SP8TスイッチICの検討
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概要
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GaAs MESFETを用いた1入力多出力スイッチは、低損失・低消費電力・高速切換などの特徴を持つため、移動体端末などに広く応用されている。現在、これらスイッチとしては、1入力4出力スイッチまでが一般的であるが、今後さらなる多出力スイッチの需要が拡大するものと考える。そこで、今回我々は、特に各スイッチ間の特性偏差の抑制を目的としてGaAs MESFETを用いた1入力8出力(以下SP8Tと呼ぶ)スイッチICを設計・試作し、良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
-
石川 修
松下電器(株) アナログlsi事業部
-
山本 真司
松下電器産業 半導体社 事業本部ディスクリート事業部
-
藤本 和久
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
藤本 裕雅
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
太田 順道
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
藤本 和久
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
坂倉 真
材料デバイス研究所
-
藤本 和久
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
-
山本 真司
工学院大
-
藤本 裕雅
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
坂倉 真
松下電器産業(株)
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