STOキャパシタを内蔵した0.5〜5.3GHz広帯域アンプMMICの試作
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概要
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近年、情報通信の多様化や高度化にともない、広帯域伝送に対する要求が高まりつつある。 従来から広帯域アンプは、大容量キャパシタ等をMMIC上に集積化することが困難であることからディスクリー卜部品を用いたHICなどで実現されてきた。今回、我々はダブルドープダブルヘテロ接合FETを用い、比誘電率εrが100を越えるSrTiO3 (STO)薄膜キャパシタを内蔵した広帯域アンプMMICを試作したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西辻 充
松下電子工業
-
藤本 和久
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
川島 克彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
-
川島 克彦
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
藤本 和久
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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