MBB実装を用いたK帯MFIC増幅器
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概要
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近年、未利用周波数資源としてミリ波が注目され、ミリ波帯デバイスの開発が活発化している。従来ミリ波のICとしてはMMICの開発が行われてきたが、高価なヘテロ接合基板上に受動回路とトランジスタを形成するため、コストが高いという問題点があった。今回、受動回路をシリコン基板上に薄膜マイクロストリップ線路で形成し、能動デバイスをMBB(Micro Bump Bonding)でフリップチップ実装したミリ波帯IC「MFIC(Millimeter-wave Flip-chip Ic)」を開発し、K帯増幅器を試作したので、その結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
吉田 隆幸
松下電器 半導体研究センター
-
高橋 和晃
松下電器産業株式会社ブロードバンドコミュニケーション開発センター
-
吉田 隆幸
松下電子工業株式会社
-
佐川 守一
松下技研(株)
-
藤田 卓
松下電機産業(株)AV&CC開発センター
-
高橋 和晃
松下電機産業(株)AV&CC開発センター
-
佐川 守一
松下電機産業(株)AV&CC開発センター
-
酒井 啓之
松下電機産業(株)半導体研究センター
-
井上 薫
松下電機産業(株)半導体研究センター
-
吉田 隆幸
松下電機産業(株)半導体研究センター
-
吉田 隆幸
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
藤田 卓
松下電器産業 先端技研
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
高橋 和晃
松下技研 移動体通信研
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