マイクロバンプボンディング技術を用いたマイクロ波/ミリ波IC
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概要
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携帯電話をはじめとする移動体通信分野は急速に拡大し、端末の小型化、低消費電力化、低価格化が非常な勢いで進められている。高周波部についてはGaAsプロセスを用いたMMICの開発が活発に進められているが、整合回路などに用いるインダクタや容量等すべてを集積化しようとすると、チップ面積が増大し、チップ価格が高くなるという課題がある。特に最近新しい周波数応用として注目されているミリ波領域では高価なヘテロ構造のエピ基板が必要となるため、高集積MMICの低コスト化は難しい。一方、シリコンLSIの高密度実装技術として開発されたフリップチップ実装技術は、高精度の位置合わせが可能で、実装に伴う寄生素子、特にインダクタンス成分の影響を受けにくいことから、高周波デバイスの実装方法としても注目を集めるようになってきた。この技術を用いれば、大きな面積を占める受動回路の部分を比較的安価なセラミック基板や、ガラス基板に形成し、能動素子あるいはそれらのICをフリップチップ実装することにより、小型化・低価格化が図れるものと期待される。 本報では、マイクロバンプボンディング(MBB)法によるフリップチップ実装技術と、これを用いたマイクロ波/ミリ波ICについて紹介する。
- 1996-03-11
著者
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