超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
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概要
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サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice : SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FET)を集積化することによりK帯で動作するMMIC増幅器を開発した。GaN HFETのオーミックコンタクト層にSL構造を適用することにより0.4Ω・mmという低ソース抵抗値を実現した。そのDC/高周波特性は最大相互コンダクタンス(gm, max)400mS/mm以上、ft、fmaxでそれぞれ60GHz、140GHzであり、K帯で動作可能であることを示した。サファイア基板上GaN MMICの高周波信号伝送にはコプレーナ型線路構造を用いた。そのMMICは20GHzから24GHzの帯域で小信号利得として13dBという広帯域特性とP_<1dB>として15.4dBmが得られた。さらにIIP3で7.5dBmの高い値が得られ、広いダイナミックレンジが求められるK帯の無線システムに適していることを実証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-10
著者
-
酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
パナソニック株式会社
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
根来 昇
松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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