擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード

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概要

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• 2006-09-28

著者

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 中澤 一志

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上野 弘明

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 松尾 尚慶

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 松尾 尚慶

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社

• 上野 弘明

  松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 中澤 一志

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

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