中澤 一志 | 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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中澤 一志
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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中澤 一志
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社
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上田 哲三
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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上田 大助
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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著作論文
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- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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