上野 弘明 | 松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
-
上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社
-
中澤 一志
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
パナソニック株式会社
-
中澤 一志
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
パナソニック株式会社
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
-
水谷 研治
松下電器産業(株) BIU
-
水谷 研治
松下電器産業(株)先端技術研究所
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
大塚 信之
松下電器半導体センター
-
永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
Otsuka Nobuyuki
Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
-
Otsuka Nobuyuki
Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
-
Otsuka Nobuyuki
Telecommunications Advancement Organization Of Japan Sendai Research Center
-
大塚 信之
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
水谷 研治
松下電器産業(株)中央研究所
-
井上 薫
パナソニック株式会社 先端技術研究所
-
上野 弘明
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
水谷 研治
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
工藤 祐治
パナソニック株式会社先端技術研究所
著作論文
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード
- C-10-16 擬似スーパージャンクション構造によるGaN縦型ショットキーバリアダイオードの高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般講演)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
- C-10-13 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-14 AlGaN/AlNバッファを用いた高耐圧AlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-5 統合設計プラットフォームにおけるGaNデバイスの動的挙動モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)