田中 毅 | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社
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パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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村田 智洋
パナソニック株式会社
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パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社
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柴田 大輔
パナソニック株式会社
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森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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宇治田 信二
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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LI Ming
パナソニック ボストン研究所
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村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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海原 一裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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梅田 英和
パナソニック株式会社
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梅田 英和
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松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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海原 一裕
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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沈 旭強
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Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
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Otsuka Nobuyuki
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名古屋大学工学研究科
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黒田 正行
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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水谷 研治
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杉浦 俊
名古屋大学工学研究科
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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福島 康之
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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川島 克彦
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京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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八幡 和宏
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田中 毅
松下電子工業 電子総研
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杉浦 俊
名古屋大学
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水谷 研治
松下電器産業(株)中央研究所
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瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
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上野 弘明
パナソニック株式会社先端技術研究所
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水谷 研治
パナソニック株式会社先端技術研究所
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工藤 祐治
パナソニック株式会社先端技術研究所
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水谷 孝
名古屋大学
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岸本 茂
名古屋大学
-
岸本 茂
名大院工
著作論文
- GaNナチュラルスーパージャンクション ダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-10 厚膜再配線構造による低損失伝送線路を用いた準ミリ波帯SiGe-MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
- CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ノーマリオフ型GITを集積化したワンチップGaNインバータIC
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- GaNナチュラル スーパージャンクション ダイオード
- C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 低誘電率膜を用いた0.15μmT型ゲートMODFET
- 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低雑音・低消費電力DBS用ダウンコンバータMMIC
- 低雑音・低消費電力DBS用ダウンコンバータMMIC
- 低雑音・低消費電力DBS用ダウンコンバータMMIC
- B-9-6 フレーム直接接続型両面放熱面実装インバータパッケージ(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- C-10-5 Fe注入によるAlGaN/GaN HFETの高耐熱素子分離技術(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-29 厚膜再配線構造を用いた26GHz帯近距離レーダ用SiGe-BiCMOS送受信チップセット(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
- IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング
- C-10-5 統合設計プラットフォームにおけるGaNデバイスの動的挙動モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)