折田 賢児 | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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高瀬 裕志
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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薄田 学
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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折田 賢児
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
松下電器産業(株)
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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