田中 毅 | パナソニック株式会社

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概要

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関連著者

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック株式会社

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 上野 弘明

  松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  パナソニック株式会社

• 松尾 尚慶

  パナソニック株式会社

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  パナソニック株式会社

• 上野 弘明

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社

• 永井 秀一

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 松尾 尚慶

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  パナソニック株式会社

• 柳原 学

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 柴田 大輔

  パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ

• 酒井 啓之

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社

• 村田 智洋

  松下電器産業(株)

• 永井 秀一

  パナソニック ボストン研究所

• 石田 昌宏

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 宇治田 信二

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 森田 竜夫

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 河井 康史

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 福田 健志

  パナソニック 先端技研

• 上田 大助

  パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 根来 昇

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 梅田 英和

  パナソニック株式会社

• 柴田 大輔

  パナソニック株式会社

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 梅田 英和

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 海原 一裕

  パナソニック株式会社

• 根来 昇

  パナソニック株式会社

• 福田 健志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 河井 康文

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• LI Ming

  パナソニック ボストン研究所

• 引田 正洋

  パナソニック株式会社

• 井手 利英

  産業技術総合研究所

• 大塚 信之

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 沈 旭強

  産業技術総合研究所

• 清水 三聡

  産業技術総合研究所

• 海原 一裕

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 山田 康博

  パナソニック株式会社

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター

• 松尾 尚慶

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 瀧澤 俊幸

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 酒井 啓之

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• LI Ming

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 柴田 大輔

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• Li Ming

  Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company

• 大塚 信之

  松下電器半導体センター

• Otsuka Nobuyuki

  Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• 鶴見 直大

  パナソニック株式会社半導体デバイス研究センター

• 鶴見 直大

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 折田 賢児

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 福島 康之

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 福島 康之

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 沈 旭強

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 高瀬 裕志

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 薄田 学

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 清水 三聡

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 折田 賢児

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 折田 賢児

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 折田 賢児

  松下電器産業(株)

• 鈴木 朝実良

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社 先端技術研究所

• 瀧澤 俊幸

  パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 根来 昇

  パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター

• 田村 聡之

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  松下電器産業(株)半導体社

• 井腰 文智

  パナソニック株式会社

• 根来 昇

  松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 福田 健志

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 宇治田 信二

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 鶴見 直大

  北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター

• Otsuka Nobuyuki

  Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• Otsuka Nobuyuki

  Telecommunications Advancement Organization Of Japan Sendai Research Center

• 按田 義治

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 田中 毅

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 田中 健一郎

  パナソニック株式会社 エコソリューションズ社 デバイス開発センター

• 木下 雄介

  パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター

• 田中 健一郎

  パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター

• 林 慶寿

  名古屋大学工学研究科

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所

• 中澤 一志

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• Li Ming.

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 黒田 正行

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 清水 順

  パナソニック株式会社

• 水谷 研治

  松下電器産業(株) BIU

• 水谷 研治

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 瀧澤 俊幸

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 杉浦 俊

  名古屋大学工学研究科

• 森田 竜夫

  松下電器産業(株)半導体社

• 杉浦 俊

  名古屋大学

• 上田 大助

  パナソニック株式会社 先端技術研究所

• 水谷 研治

  松下電器産業(株)中央研究所

• 瀧澤 俊幸

  松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター

• 中澤 一志

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター

• 上野 弘明

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 水谷 研治

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 工藤 祐治

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 山田 康博

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 海原 一裕

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター

• 田村 聡之

  パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター

• 梅田 英和

  パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター

• 岸本 茂

  名大院工

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著作論文

• GaNナチュラルスーパージャンクション ダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-2-10 厚膜再配線構造による低損失伝送線路を用いた準ミリ波帯SiGe-MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
• サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
• CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
• ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
• ノーマリオフ型GITを集積化したワンチップGaNインバータIC
• C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• GaNナチュラル スーパージャンクション ダイオード
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
• In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
• AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
• 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-10-10 無極性a面上ノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
• セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ
• B-9-6 フレーム直接接続型両面放熱面実装インバータパッケージ(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
• C-10-5 Fe注入によるAlGaN/GaN HFETの高耐熱素子分離技術(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-29 厚膜再配線構造を用いた26GHz帯近距離レーダ用SiGe-BiCMOS送受信チップセット(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
• IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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• 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング
• C-10-5 統合設計プラットフォームにおけるGaNデバイスの動的挙動モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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• P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル
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• P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード
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• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計
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• マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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• Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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• マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路
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