上田 哲三 | パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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田中 毅
パナソニック株式会社
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
パナソニック株式会社
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上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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梅田 英和
パナソニック株式会社
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清水 順
パナソニック株式会社
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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梅田 英和
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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宇治田 信二
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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河井 康文
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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柳原 学
パナソニック株式会社
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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河井 康史
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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村田 智洋
パナソニック株式会社
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福田 健志
パナソニック 先端技研
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社
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清水 順
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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鈴木 朝実良
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社 先端技術研究所
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中澤 敏志
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社
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柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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海原 一裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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井腰 文智
パナソニック株式会社
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柴田 大輔
パナソニック株式会社
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大塚 信之
松下電器半導体センター
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Otsuka Nobuyuki
Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
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Otsuka Nobuyuki
Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
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Otsuka Nobuyuki
Telecommunications Advancement Organization Of Japan Sendai Research Center
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按田 義治
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社先端技術研究所
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大塚 信之
パナソニック株式会社先端技術研究所
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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海原 一裕
パナソニック株式会社
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林 慶寿
名古屋大学工学研究科
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科
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井上 薫
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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谷川 達也
パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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水谷 研治
松下電器産業(株) BIU
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水谷 研治
松下電器産業(株)先端技術研究所
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杉浦 俊
名古屋大学工学研究科
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福島 康之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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福島 康之
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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大西 俊一
パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
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高瀬 裕志
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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薄田 学
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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折田 賢児
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
松下電器産業(株)
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杉浦 俊
名古屋大学
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森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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大西 俊一
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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水谷 研治
松下電器産業(株)中央研究所
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上野 弘明
パナソニック株式会社先端技術研究所
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水谷 研治
パナソニック株式会社先端技術研究所
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工藤 祐治
パナソニック株式会社先端技術研究所
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水谷 孝
名古屋大学
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岸本 茂
名古屋大学
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鶴見 直大
パナソニック株式会社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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鶴見 直大
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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岸本 茂
名大院工
著作論文
- GaNナチュラルスーパージャンクション ダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-10 厚膜再配線構造による低損失伝送線路を用いた準ミリ波帯SiGe-MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- ノーマリオフ型GITを集積化したワンチップGaNインバータIC
- GaNナチュラル スーパージャンクション ダイオード
- C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 表面プラズモン面発光レーザー
- HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
- C-10-7 格子間フッ素によるGaN系トランジスタのノーマリオフ化機構(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- B-9-6 フレーム直接接続型両面放熱面実装インバータパッケージ(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- C-10-5 Fe注入によるAlGaN/GaN HFETの高耐熱素子分離技術(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-29 厚膜再配線構造を用いた26GHz帯近距離レーダ用SiGe-BiCMOS送受信チップセット(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング (小特集 パワー半導体結晶成長)
- 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
- IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング
- C-10-5 統合設計プラットフォームにおけるGaNデバイスの動的挙動モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計