林 慶寿 | 名古屋大学工学研究科

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概要

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• 林 慶寿

  名古屋大学工学研究科

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名大院工

• 杉浦 俊

  名古屋大学工学研究科

• 杉浦 俊

  名古屋大学

• 大野 雄高

  名大工

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

• 合田 祐司

  名古屋大学工学研究科

• 大野 雄高

  名古屋大学工学研究科

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター

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著作論文

• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 (マイクロ波)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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