大野 雄高 | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

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概要

• 同名の論文著者
• 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻の論文著者

関連著者

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

• 大野 雄高

  名大工

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 前澤 宏一

  名古屋大学大学院工学研究科

• 前澤 宏一

  富山大学大学院理工学研究部

• 大野 雄高

  名古屋大学工学研究科

• 岸本 茂

  名大院工

• 川野 陽一

  名古屋大学工学研究科

• 横山 雄司

  名古屋大学工学研究科

• 川野 陽一

  名古屋大学大学院工学研究科

• 横山 雄司

  名古屋大学大学院工学研究科

• 沖野 徹

  名古屋大学工学部

• 篠原 久典

  名大理

• 篠原 久典

  名古屋大

• 落合 大

  名古屋大学工学研究科 量子工学専攻

• 篠原 久典

  名古屋大学 大学院理学研究科/高等研究院

• 篠原 久典

  名大院理

• 篠原 久典

  名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻

• 曽我 育生

  名古屋大学大学院工学研究科

• 河野 良介

  国立がんセンター東病院

• 山口 雅浩

  東京工業大学像情報工学研究施設

• 山口 雅浩

  東京工業大学

• 山口 雅浩

  東工大

• 河野 良介

  国立がん研究センター東病院粒子線医学開発部

• 鈴木 耕佑

  名古屋大学工学研究科

• 鈴木 耕介

  名古屋大学工学研究科

• 秋田 光俊

  名古屋大学工学研究科

• 山口 雅浩

  東京工業大学学術国際情報センター

• 山口 雅浩

  通信・放送機構 赤坂ナチュラルビジョン・リサーチセンター : 東京工業大学像情報工学研究施設

• 丸山 茂夫

  東京大学大学院工学系研究科

• 村上 陽一

  東大院工

• 嶋田 行志

  名古屋大学工学研究科

• 石田 将史

  名古屋大学理学研究科

• 酒井 朗

  東京大学工学研究科

• 黒川 雄斗

  名古屋大学工学研究科

• 村上 陽一

  東京大学工学研究科

• 丸山 茂夫

  東京大学工学研究科

• 岡崎 俊也

  名大院理

• 山口 雅浩

  東京工業大学像情報工学研究施設:(独)情報通信研究機構赤坂ナチュラルビジョンリサーチセンター

• 岡崎 俊也

  名古屋大学大学院理学研究科

• 岡崎 俊也

  産業技術総合研究所ナノカーボン研究センター

• 岩附 伸也

  名古屋大学工学研究科

• 仲尾 健

  名古屋大学工学研究科

• 合田 祐司

  名古屋大学工学研究科

• 林 慶寿

  名古屋大学工学研究科

• 黒川 雄斗

  さきがけ

• 大坂 次郎

  名古屋大学工学部

• 西浦 政人

  名古屋大学工学部

• 酒井 朗

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大学

• 森山 直希

  名古屋大学工学研究科

• 北村 隆光

  名古屋大学工学研究科

• 小本 芳裕

  名古屋大学工学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大

• 能生 陽介

  名大工

• 能生 陽介

  名古屋大学大学院工学研究科

• 村上 陽一

  名古屋大学理学研究科

• 丸山 茂夫

  名古屋大学工学研究科

• 篠原 久典

  東京大学工学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大学工学研究科

• 川田 健二

  名古屋大学量子工学

• 川田 健二

  名古屋大学

• 大野 雄高

  名大

• 中田 弘章

  日鉱金属株式会社

• 高草木 操

  日鉱マテリアルズ 戸田プラント

• 中田 弘章

  日鉱マテリアルズ 戸田プラント

• 高草木 操

  (株)日鉱マテリアルズ

• 青山 朋子

  名古屋大学大学院工学研究科

• 沖川 侑揮

  名古屋大学工学研究科量子工学専攻

• 村上 浩一

  筑波大学, 筑波大特プロ"ナノサイエンス"

• 丸山 茂夫

  東京大学

• 目良 裕

  東大工

• 前田 康二

  東大工

• 奥野 恒久

  和歌山大シス工

• 岩崎 慎也

  名大工

• 岩崎 慎也

  名古屋大学

• 村上 陽一

  東京大学

• 林 将司

  名古屋大学工学研究科

• 畑 浩一

  三重大

• 藤澤 利正

  NTT物性基礎研

• 伊東 千尋

  和歌山大シス工

• 目良 裕

  東大院工

• 本間 芳和

  東京理科大学

• 松井 真二

  兵庫県立大高度研

• 須原 理彦

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 山田 明

  東工大

• 藤澤 利正

  東工大極低温セ

• 上田 修

  金沢工大

• 石橋 幸治

  理研

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中嶋 健

  東京工業大学

• 村田 智洋

  名古屋大学工学研究科

• 森田 清三

  阪大院

• 重川 秀実

  筑波大物質工

• 粟野 祐二

  慶大

• 荒川 太郎

  横浜国大

• 石橋 幸治

  (独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室

• 本間 芳和

  東理大理

• 荻野 俊郎

  横国大

• 高橋 琢二

  東大

• 佐野 芳明

  沖電気

• 中嶋 健

  東工大

• 松本 和彦

  阪大

• 落合 幸徳

  JST

• 篠塚 雄三

  和歌山大

• 徳光 永輔

  東工大

• 荒川 太郎

  横国大

• 小林 慶裕

  阪大

• 佐藤 信太郎

  富士通研

• 赤澤 方省

  NTT

• 渡辺 精一

  北大

• 尾崎 信彦

  和歌山大

• 荻野 俊郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 本間 芳和

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 佐野 芳明

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 森田 清三

  阪大理

• 熊田 圭一郎

  名古屋大学工学研究科

• 須原 理彦

  首都大

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研究所

• 田中 哲朗

  名古屋大学大学院工学研究科

• 渡辺 精一

  北大・工学部

• 本間 芳和

  東理大

• 畑 浩一

  三重大院工

• 本間 芳和

  日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所

• 篠塚 雄三

  和歌山大学大学院システム工学研究科

• 松井 真二

  兵庫県立大

• 松井 真二

  日本電気(株)基礎研究所

• 奥野 恒久

  和歌山大

• 重川 秀実

  筑波大

• 村上 浩一

  筑波大

• 森田 清三

  阪大

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 伊東 千尋

  和歌山大

• 川野 陽一

  (現)(株)富士通研究所フォトエレクトロニクス研究所

• 酒向 万里生

  名古屋大学工学研究科

• 山田 明

  東工大量子セ

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院

• 前田 康二

  東大、工

• 松井 真二

  Nec 基礎研

• 藤沢 利正

  Ntt 基礎研

• 前田 康二

  東大 工

• 水谷 考

  名古屋大学工学研究科量子学専攻

• 岸本 茂

  名古屋大学大学院工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学大学院工学研究科

• 深谷 徳宏

  名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

• 金 東榮

  早稲田大学先進理工学部応用化学科

• 野田 優

  早稲田大学先進理工学部応用化学科

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著作論文

• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性
• AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
• CS-6-5 カーボンナノチューブFETの伝導型制御と電極界面特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• 異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける励起子遷移と周辺環境効果
• カーボンナノチューブの基礎と応用
• ナノ構造技術
• GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
• トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 微小半導体素子の自己整合配置(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
• GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
• TC-1-5 共鳴トンネル素子を利用した超高周波カオス生成とその分周器への応用
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• A-2-2 共鳴トンネル素子を用いた50GHzカオス集積回路
• C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• C-10-4 共鳴トンネルカオス回路を用いた50GHz分周期
• C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を利用した分周器の高速動作
• メタモルフィックInAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
• メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
• C-10-11 容量結合型共鳴トンネル論理ゲート C^2MOBILE の実験的検証
• C-10-12 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御(C-10.電子デバイス)
• C-10-11 共鳴トンネル素子とMOSFETを用いたMOBILEの可能性(C-10.電子デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SC-9-4 Fluidic Assembly 法を用いた微小デバイスブロックの配置技術
• SC-6-4 光学的手法によるGaN HEMTの動作解析
• GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
• GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEにおける入力用HEMTのゲート幅と動作速度の関係
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
• C-10-4 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器のノイズシェーピング
• C-10-3 共鳴トンネル論理素子を用いたΔΣ型ADコンバータ
• C-10-2 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEの回路パラメータ設計指針
• InAs量子ドットを介した共鳴トンネリングのフォトルミネッセンス解析
• パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
• カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
• カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術)
• 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるキャリア輸送と電流コラプス(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HEMT におけるキャリア輸送と電流コラプス(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
• CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 企画の意図
• 企画の意図
• 企画の意図
• 基礎講座
• 基礎講座
• 簡易転写プロセスによるカーボンナノチューブ薄膜パターン形成とタッチセンサ応用(機能ナノデバイス及び関連技術)

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