企画の意図
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-06-10
著者
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
河野 良介
国立がんセンター東病院
-
山口 雅浩
東京工業大学像情報工学研究施設
-
山口 雅浩
東京工業大学
-
山口 雅浩
東工大
-
河野 良介
国立がん研究センター東病院粒子線医学開発部
-
山口 雅浩
東京工業大学像情報工学研究施設:(独)情報通信研究機構赤坂ナチュラルビジョンリサーチセンター
-
山口 雅浩
東京工業大学学術国際情報センター
-
山口 雅浩
通信・放送機構 赤坂ナチュラルビジョン・リサーチセンター : 東京工業大学像情報工学研究施設
関連論文
- 超RGB色表現 : 多原色による広色域CGコンテンツ制作
- 光線サンプリング面を用いた多視点画像群からのCGH計算法(立体映像及びホログラフィ)
- フルパララックス・ホログラフィックステレオグラムによる光沢を有する物体の記録と再現性評価(立体映像及びホログラフィ)
- 電子私書箱構想による個人健康情報管理の意識調査(情報セキュリティ,ライフログ活用技術,ライフインテリジェンス,オフィス情報システム,一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性
- AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
- CS-6-5 カーボンナノチューブFETの伝導型制御と電極界面特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける励起子遷移と周辺環境効果
- カーボンナノチューブの基礎と応用
- 体幹部定位放射線治療ガイドライン
- in-vivo dosimetry に向けたMOSFETによる不均質ファントム中でのX線線量測定
- 若手発表会より 陽子線高精度線量分布予測に関する基礎研究
- ナノ構造技術
- Intensity Modulated Radiation Therapy(IMRT) の最適化における使用経験と問題点 : 頭頸部IMRTを中心に
- 治療計画装置XiOにおける不均質補正法の実験的検証
- 25 コンボリューション法とモンテカルロ法を組み合わせた線量計算法の開発(放射線治療モンテカルロ,他, 第35回日本放射線技術学会秋季学術大会プログラム)
- 幾何学形状ボーラス通過後の陽子線線量分布測定による新ペンシルビーム線量計算法の検証
- GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
- 陽子線・線量分布計算におけるコリメータの厚み効果の実験的検証
- トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 2次元電離箱検出器 I'mRT-MatriXX による陽子線の線量測定
- 微小半導体素子の自己整合配置(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- 陽子線治療用線量モニタに対するリアルタイム感度補正の有用性
- 国立がんセンター東病院における陽子線回転ガントリー内線量モニターシステムの改良
- 国立がんセンター東病院における陽子線治療 Daily QA とその結果
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 2重散乱体法における入射ビームの位相空間パラメータの影響
- 平担度モニターによる陽子線分布の一様性測定
- 陽子線の線量分布予測の高精度化のための基礎的研究
- 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- TC-1-5 共鳴トンネル素子を利用した超高周波カオス生成とその分周器への応用
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- A-2-2 共鳴トンネル素子を用いた50GHzカオス集積回路
- C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- C-10-4 共鳴トンネルカオス回路を用いた50GHz分周期
- C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を利用した分周器の高速動作
- メタモルフィックInAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
- メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
- C-10-11 容量結合型共鳴トンネル論理ゲート C^2MOBILE の実験的検証
- C-10-12 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御(C-10.電子デバイス)
- C-10-11 共鳴トンネル素子とMOSFETを用いたMOBILEの可能性(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SC-9-4 Fluidic Assembly 法を用いた微小デバイスブロックの配置技術
- SC-6-4 光学的手法によるGaN HEMTの動作解析
- GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEにおける入力用HEMTのゲート幅と動作速度の関係
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
- C-10-4 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器のノイズシェーピング
- C-10-3 共鳴トンネル論理素子を用いたΔΣ型ADコンバータ
- C-10-2 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEの回路パラメータ設計指針
- InAs量子ドットを介した共鳴トンネリングのフォトルミネッセンス解析
- パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
- カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
- カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術)
- 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるキャリア輸送と電流コラプス(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HEMT におけるキャリア輸送と電流コラプス(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- どのような治療を目指し,どのように治療を実現するのか--最先端治療実施に当たり,医学物理士を考える (最先端放射線治療装置の導入(日本放射線腫瘍学会第19回学術大会パネルディスカッションより))
- 陽子線高精度線量分布予測に関する基礎研究
- CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
- CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 企画の意図
- 企画の意図
- 企画の意図
- 基礎講座
- 重粒子線治療等新技術の医療応用に係る放射線防護のあり方に関する研究
- 基礎講座
- 簡易転写プロセスによるカーボンナノチューブ薄膜パターン形成とタッチセンサ応用(機能ナノデバイス及び関連技術)