トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)の特性を制御する上で,各種界面の特性を理解し,制御することが重要である.ここでは,ゲート絶縁膜の堆積により導入される界面電荷に着目し,CNFETの伝導型の制御を試みる.さらに,CNFET構造の電界計算に基づき,界面電荷の存在がCNFETの動作に及ぼす影響を議論する.
- 2010-06-10
著者
-
大野 雄高
名大工
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
森山 直希
名古屋大学工学研究科
-
北村 隆光
名古屋大学工学研究科
-
鈴木 耕佑
名古屋大学工学研究科
-
鈴木 耕介
名古屋大学工学研究科
-
大野 雄高
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
-
岸本 茂
名大院工
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