鈴木 耕佑 | 名古屋大学工学研究科

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概要

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関連著者

• 鈴木 耕佑

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科

• 大野 雄高

  名大工

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 鈴木 耕介

  名古屋大学工学研究科

• 大野 雄高

  名古屋大学工学研究科

• 岸本 茂

  名大院工

• 森山 直希

  名古屋大学工学研究科

• 北村 隆光

  名古屋大学工学研究科

• 大野 雄高

  名古屋大学工学研究科量子工学専攻

• 鈴木 耕佑

  名古屋大学工学研究科量子工学専攻

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科量子工学専攻

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著作論文

• トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
• CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
• CNFETにおける high-k ゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響
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