岸本 茂 | 名大院工

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概要

• 同名の論文著者
• 名大院工の論文著者

関連著者

• 岸本 茂

  名大院工

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学

• 大野 雄高

  名大工

• 大野 雄高

  名古屋大学工学研究科

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科

• 前澤 宏一

  富山大学大学院理工学研究部

• 林 慶寿

  名古屋大学工学研究科

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育部:研究部

• 合田 祐司

  名古屋大学工学研究科

• 亀谷 直樹

  名古屋大学大学院工学研究科

• 赤松 和弘

  日鉱金属株式会社

• 鈴木 耕佑

  名古屋大学工学研究科

• 鈴木 耕介

  名古屋大学工学研究科

• 岸本 茂

  名大工

• 水谷 孝

  名大工

• 大川 洋平

  Graduate School Of Engineering Nagoya University

• 杉浦 俊

  名古屋大学工学研究科

• 杉浦 俊

  名古屋大学

• 宮崎 英志

  名古屋大学工学研究科

• 宮崎 英志

  名古屋大学

• 丸山 茂夫

  東京大学大学院工学系研究科

• 能生 陽介

  名大工

• 前澤 宏一

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中村 文彦

  パウデック(株)

• 前澤 宏一

  富山大学 工学部電気電子システム工学科

• 森山 直希

  名古屋大学工学研究科

• 北村 隆光

  名古屋大学工学研究科

• 中田 弘章

  日鉱金属株式会社

• 李 旭

  名古屋大学工学研究科

• 黒内 正仁

  名古屋大学工学研究科

• 村上 陽一

  東大院工

• 丸山 茂夫

  東大工

• 小林 篤史

  名大工

• 安藤 浩哉

  豊田工業高等専門学校

• 岩崎 慎也

  名大工

• 曽我 育生

  名古屋大学大学院工学研究科

• 安藤 浩哉

  豊田工業高等専門学校情報工学科

• 安藤 浩哉

  豊田高専

• 安藤 浩哉

  名古屋大学 工学部

• 前沢 宏一

  NTT LSI研究所

• OOKAWA Yohei

  Graduate School of Engineering, Nagoya University

• 大川 洋平

  名古屋大学大学院工学研究科

• 前澤 宏一

  名古屋大学量子工学専攻

• 前澤 宏一

  NTT LSI Laboratories

• 前澤 宏一

  早大理工

• 沖川 侑揮

  名古屋大学工学研究科量子工学専攻

• 篠原 久典

  名大院理

• 丸山 茂夫

  東京大学

• 村上 陽一

  東大工

• 能生 陽介

  名古屋大学大学院工学研究科

• 岩崎 慎也

  名古屋大学

• 村上 陽一

  東京大学

• 大野 雄高

  名大院・工

• 島内 英樹

  名大工

• 大中 啓史

  名大工

• 小島 慶祐

  名大工

• 林 将司

  名古屋大学工学研究科

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 丸山 茂樹

  東大工

• 菅井 俊樹

  名大院理

• 岡崎 俊也

  名大院理

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 坂東 俊治

  名城大・理工

• 丸山 茂夫

  東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻

• 赤松 和弘

  (株)日鉱金属

• 坂東 俊治

  名城大学大学院理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 中田 弘章

  (株)日鉱金属

• 岡崎 俊也

  産業技術総合研究所ナノカーボン研究センター

• 小島 慶祐

  名大工:jstさきがけ

• 大中 啓史

  名大工:jstさきがけ

• 吉田 宏道

  名古屋大学大学院理学研究科 高等研究院

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 杉山 裕和

  名古屋大学 工学研究科

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 島内 英樹

  名大工:jstさきがけ

• 岸本 茂

  Graduate School of Engineering, Nagoya University

• 末永 和知

  産総研

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター

• 嶋田 行志

  名大院理

• 吉田 宏道

  名大院理

• 大野 雄高

  名大院工

• 岩附 伸也

  名大院工

• 水野 慎也

  名大院工

• 水谷 孝

  名大院工

• 坂東 俊治

  名城大

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著作論文

• 20aTC-12 カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス強度のカイラリティ依存性(20aTC ナノチューブI,領域7(分子性固体・有機導体))
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 24pWB-8 カーボンナノチューブエレクトロニクスにおける環境効果(カーボンナノチューブ研究開発における「ブレークスルー」のために今何が必要か?,シンポジウム,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRC-8 カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける環境効果(ナノチューブ(光物性),領域7,分子性固体・有機導体)
• AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pUB-7 カーボンナノチューブFETの現状と将来(29pUB 領域7シンポジウム:分子性半導体素子の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• CS-6-5 カーボンナノチューブFETの伝導型制御と電極界面特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
• 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Fluidic Self-Assemblyのための共鳴トンネルデバイスブロック作製技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• C-10-2 Fluidic Self-Assemblyを用いたAlNセラミック上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの集積(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-2 対称型単安定-双安定転移論理素子SMOBILEの100GHz動作(C-10.電子デバイス,一般講演)
• カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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• 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
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• 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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• CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
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• 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製
• 7pSD-4 ナノチューブFET(主題:ナノチューブ状物質の最近の話題 : これから始める人へのチュートリアルも兼ねて,領域7シンポジウム,領域7)

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