HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのシミュレーションを行い、デバイスの動作機構の解明及び界面トラップのデバイス特性への影響の評価を行った。V_<GS>を大きくすると最初g_mは増加するが、V_<GS>をさらに大きくするとg_mは低下した。これは、HfO_2/AlGaN界面にチャネルが形成され、HfO_2/AlGaN界面の電気特性が良くないためである。また、HfO_2/AlGaN界面にDonor型のトラップが存在する場合についてもシミュレーションを行った。この場合、しきい値電圧が負側にシフトし、g_mの低下がみられた。これはV_<GS>の増加が界面トラップへの電荷注入に費やされAlGaN/GaN界面での電荷密度変調に寄与しないためである。しきい値電圧の変化量及びg_mの低下はトラップ濃度に依存し、トラップ濃度を4x10^<11>cm^<-2>以下にすれば、しきい値シフトを0.3V以下に、g_mの低下を10%以下に抑えることができることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-20
著者
-
林 慶寿
名古屋大学工学研究科
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
杉浦 俊
名古屋大学工学研究科
-
杉浦 俊
名古屋大学
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
岸本 茂
名大院工
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