電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
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概要
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電子線露光技術とウェットエッチングを用いて電子波干渉トランジスタを作製した。周期60nmの微細なグレーティングパターンの形成には、100keV電子線と新規C_<60>複合レジストを用いた。本干渉トランジスタの相互コンダクタンス(g_m)-ゲート電圧特性において、明瞭なg_m振動を50Kまで観測した。g_m振動を解析することで、観測したg_m振動がゲート電極下に作製した周期60nmのグレーティングに起因する電子波干渉効果に基づく振動であることを確認した。周期ポテンシャル中を走行する電子の透過係数の計算では、電子波干渉の観測に必要なグレーティング本数は10本程度であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
-
玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
-
玉村 敏昭
Ntt物性科学基礎研究所:nttエレクトロニクス
-
村田 智洋
名古屋大学工学研究科
-
石井 哲好
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
石井 哲好
NTT物性科学基礎研究所
-
玉村 敏昭
Ntt物性科学基礎研究所
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
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