前澤 宏一 | 名古屋大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
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水谷 孝
名古屋大学
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科
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岸本 茂
名古屋大学
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科
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前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
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大野 雄高
名大工
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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横山 雄司
名古屋大学工学研究科
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横山 雄司
名古屋大学大学院工学研究科
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川野 陽一
名古屋大学大学院工学研究科
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沖野 徹
名古屋大学工学部
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落合 大
名古屋大学工学研究科 量子工学専攻
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酒向 万里生
名古屋大学工学研究科
-
曽我 育生
名古屋大学大学院工学研究科
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小本 芳裕
名古屋大学工学研究科
-
杉山 裕和
名古屋大学 工学研究科
-
秋田 光俊
名古屋大学工学研究科
-
松原 渉
名古屋大学工学研究科
-
仲尾 健
名古屋大学工学研究科
-
大坂 次郎
名古屋大学工学部
-
西浦 政人
名古屋大学工学部
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山本 眞史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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中川 匡夫
NTT
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村田 智洋
名古屋大学工学研究科
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村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村口 正弘
NTTワイヤレスシステム研究所
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岡崎 浩司
NTTワイヤレスシステム研究所
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岡崎 浩司
Ntt 未来ねっと研
-
中川 匡夫
Nttワイヤレスシステム研究所
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中田 弘章
日鉱金属株式会社
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福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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前澤 宏一
名古屋大学量子工学専攻
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古川 幸喜
名古屋大学工学研究科
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高草木 操
(株)日鉱マテリアルズ
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岸本 茂
名大院工
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大川 洋平
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
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石井 哲好
NTT 光エレクトロニクス研究所
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石井 哲好
NTT物性科学基礎研究所
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玉村 敏昭
Ntt物性科学基礎研究所
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川田 健二
名古屋大学量子工学
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川田 健二
名古屋大学
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大川 洋平
名古屋大学大学院工学研究科
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高草木 操
日鉱マテリアルズ 戸田プラント
-
中田 弘章
日鉱マテリアルズ 戸田プラント
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前澤 宏一
富山大学理工学教育部:研究部
-
青山 朋子
名古屋大学大学院工学研究科
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林 将司
名古屋大学工学研究科
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玉村 敏昭
Ntt物性科学基礎研究所:nttエレクトロニクス
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
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熊田 圭一郎
名古屋大学工学研究科
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山中 一彦
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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東條 友昭
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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小野澤 和利
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
-
田中 哲朗
名古屋大学大学院工学研究科
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シング ビラハム
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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大野 雄高
名古屋大学工学研究科
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澤木 宣彦
名古屋大学
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川野 陽一
(現)(株)富士通研究所フォトエレクトロニクス研究所
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酒向 万里男
名古屋大学大学院工学研究科
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中田 弘章
(株)日鉱金属
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澤木 宣彦
名古屋大学大学院
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小木 芳裕
名古屋大学工学研究科
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田中 哲郎
名古屋大学大学院工学研究科
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水谷 考
名古屋大学工学研究科量子学専攻
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丹羽 壮平
名古屋大学大学院工学研究科
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
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岸本 茂
名古屋大学大学院工学研究科
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
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前澤 宏一
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
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水谷 孝
名古屋大学大学院工学研究科
著作論文
- AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
- GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
- 微小半導体素子の自己整合配置(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- 液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力2波長レーザの開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
- 共鳴トンネル素子を用いた新しい発振器の構成(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 共鳴トンネル素子を用いた新しい発振器の構成
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- TC-1-5 共鳴トンネル素子を利用した超高周波カオス生成とその分周器への応用
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- A-2-2 共鳴トンネル素子を用いた50GHzカオス集積回路
- C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- C-10-4 共鳴トンネルカオス回路を用いた50GHz分周期
- C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を利用した分周器の高速動作
- 共鳴トンネル素子を用いたカオス生成回路とその分周器への応用
- 共鳴トンネル素子を用いたカオス生成回路とその分周器への応用
- C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を用いた分周器における入力信号歪みの影響
- C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を用いた新しい分周器
- メタモルフィックInAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
- メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣAD変換器(量子ナノデバイスと回路応用)
- 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣAD変換器(量子ナノデバイスと回路応用)
- AS-4-4 高速化に適した周波数変調方式ΔΣADCの検討(AS-4.アナログ信号処理,基礎・境界)
- C-10-3 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣA/D変換器の構成(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- C-10-11 容量結合型共鳴トンネル論理ゲート C^2MOBILE の実験的検証
- InP基板上共鳴トンネル素子を用いた超高速集積回路,AWAD2006)
- InP基板上共鳴トンネル素子を用いた超高速集積回路
- C-10-2 対称型単安定-双安定転移論理素子SMOBILEの100GHz動作(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-7 サブサンプリング方式共鳴トンネルFMΔΣA/D変換器(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- A-2-23 共鳴トンネルカオス回路を用いた高速信号生成回路(A-2.非線形問題,基礎・境界)
- 負性抵抗デバイスの新時代 : 共鳴トンネル素子を中心とした超高周波応用の新展開
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣ型A/Dコンバータの構成(量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣ型A/Dコンバータの構成(量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔ〓型A/Dコンバータの構成
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔ〓型A/Dコンバータの構成
- C-10-12 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御(C-10.電子デバイス)
- C-10-11 共鳴トンネル素子とMOSFETを用いたMOBILEの可能性(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS
- TC-1-1 共鳴トンネルダイオードの原理と特徴
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SC-9-4 Fluidic Assembly 法を用いた微小デバイスブロックの配置技術
- SC-6-4 光学的手法によるGaN HEMTの動作解析
- C-10-11 Si-CMOSによる共鳴トンネル論理ゲートのエミュレーション回路
- GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- C-10-3 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEの極限高速化 : クロックの分配
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEにおける入力用HEMTのゲート幅と動作速度の関係
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
- GaN HEMTの電流コラプス
- GaN HEMTの電流コラプス
- GaN HEMTの電流コラプス
- C-10-4 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器のノイズシェーピング
- C-10-3 共鳴トンネル論理素子を用いたΔΣ型ADコンバータ
- C-10-2 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEの回路パラメータ設計指針
- InAs量子ドットを介した共鳴トンネリングのフォトルミネッセンス解析