落合 大 | 名古屋大学工学研究科 量子工学専攻

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概要

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関連著者

• 大野 雄高

  名大工

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 前澤 宏一

  名古屋大学大学院工学研究科

• 前澤 宏一

  富山大学大学院理工学研究部

• 落合 大

  名古屋大学工学研究科 量子工学専攻

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科

• 沖野 徹

  名古屋大学工学部

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著作論文

• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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