Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS構造HEMT(MIS-HEMT)の作製し良好な結果を得た。AlGaN/GaN MIS-HEMTはSi_3N_4ゲート絶縁膜無しのAlGaN/GaN HEMTに比べて、ゲートリーク電流が約3桁程度減少していた。また、低周波雑音においてはMIS-HEMTの方が通常のHEMTに比べて小さいという測定結果が得られた。更に、電流コラプスもMIS構造にする事で抑制できた。
- 2003-05-08
著者
-
大野 雄高
名大工
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
-
前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
-
落合 大
名古屋大学工学研究科 量子工学専攻
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
関連論文
- 20aTC-12 カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス強度のカイラリティ依存性(20aTC ナノチューブI,領域7(分子性固体・有機導体))
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 24pWB-8 カーボンナノチューブエレクトロニクスにおける環境効果(カーボンナノチューブ研究開発における「ブレークスルー」のために今何が必要か?,シンポジウム,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRC-8 カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける環境効果(ナノチューブ(光物性),領域7,分子性固体・有機導体)
- カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性
- AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pUB-7 カーボンナノチューブFETの現状と将来(29pUB 領域7シンポジウム:分子性半導体素子の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス
- CS-6-5 カーボンナノチューブFETの伝導型制御と電極界面特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける励起子遷移と周辺環境効果
- カーボンナノチューブの基礎と応用
- HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 (マイクロ波)
- 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
- ナノ構造技術
- GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
- HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
- 微小半導体素子の自己整合配置(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
- ピエゾ素子を利用した大流量ガスバルブの開発
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- 23aXF-6 カーボンナノチューブ・ナノピーポットにおける輸送特性の温度依存性
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 (シリコン材料・デバイス)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 (電子デバイス)
- 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- TC-1-5 共鳴トンネル素子を利用した超高周波カオス生成とその分周器への応用
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- A-2-2 共鳴トンネル素子を用いた50GHzカオス集積回路
- C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- C-10-4 共鳴トンネルカオス回路を用いた50GHz分周期
- C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を利用した分周器の高速動作
- 12pWF-1 孤立二層カーボンナノチューブにおける G プライムバンドラマン分光(ナノチューブ物性, 領域 7)
- メタモルフィックInAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
- メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
- カーボンナノチューブトランジスタの可能性
- C-10-11 容量結合型共鳴トンネル論理ゲート C^2MOBILE の実験的検証
- C-10-12 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御(C-10.電子デバイス)
- C-10-11 共鳴トンネル素子とMOSFETを用いたMOBILEの可能性(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SC-9-4 Fluidic Assembly 法を用いた微小デバイスブロックの配置技術
- SC-6-4 光学的手法によるGaN HEMTの動作解析
- GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEにおける入力用HEMTのゲート幅と動作速度の関係
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
- GaN HEMTの電流コラプス
- GaN HEMTの電流コラプス
- GaN HEMTの電流コラプス
- C-10-4 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器のノイズシェーピング
- C-10-3 共鳴トンネル論理素子を用いたΔΣ型ADコンバータ
- C-10-2 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEの回路パラメータ設計指針
- InAs量子ドットを介した共鳴トンネリングのフォトルミネッセンス解析
- パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
- カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
- カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術)
- 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるキャリア輸送と電流コラプス(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HEMT におけるキャリア輸送と電流コラプス(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- カーボンナノチューブFETの作製と評価 (特集2 カーボンナノチューブトランジスタの開発・集積化と性能評価)
- カーボンナノチューブの光電子機能デバイス応用 (カーボンナノチューブの発光・光学特性とその応用)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
- CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 企画の意図
- 企画の意図
- 企画の意図
- 基礎講座
- 基礎講座
- 8aSD-7 電界効果型トランジスター構造をもちいた金属内包フラーレン・ピーポッドの電子物性(電解効果ドーピング,領域7)
- 簡易転写プロセスによるカーボンナノチューブ薄膜パターン形成とタッチセンサ応用(機能ナノデバイス及び関連技術)