ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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ALDで成膜したHfO_2をゲート酸化膜とするAlGaN/GaN MOSFETを作製し、特性評価を行った。HfO_2の成膜温度は低い程ゲートリーク電流が抑えられていたが、g_mの最大値は成膜温度250℃で得られた。閾値がHfO_2膜厚に対して線形に依存することから、HfO_2/AlGaN界面には正の電荷を有する準位が多数存在すると考えられる。HfO_2膜を酸素中でアニールすることで、この界面準位が低減された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-20
著者
-
大野 雄高
名大工
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
合田 祐司
名古屋大学工学研究科
-
林 慶寿
名古屋大学工学研究科
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
大野 雄高
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
-
岸本 茂
名大院工
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