原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al_2O_3成膜前の前処理として(NH_4)_2S(硫化アンモニウム)処理を検討した。まず初めに、Al_2O_3/n-GaN MOSダイオードを用いて、(NH_4)_2S処理の効果を検討した所、Al_2O_3成膜前に(NH_4)_2S処理を行うことでC-Vカーブの傾きが(NH_4)_2S処理なしに比べて急峻になり、界面準位密度も低減した。次に本(NH_4)_2S処理をAl_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETに適用したところ、I_D,g_m-V_<GS>特性におけるヒステリシスが減少し、また大きなゲート電圧におけるI_Dの上詰まりも改善した。これらの結果は硫化アンモニウム処理により、Al_2O_3/AlGaN界面の界面準位密度が低減したことを示唆している。またさらなる界面品質の向上を目指して、C-V測定後アニールを行ったところ、C-Vカーブの立ち上がりが正側にシフトし、界面準位密度も低減した。
- 2011-05-12
著者
-
合田 祐司
名古屋大学工学研究科
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
宮崎 英志
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
宮崎 英志
名古屋大学
-
岸本 茂
名大院工
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