合田 祐司 | 名古屋大学工学研究科
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概要
関連著者
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合田 祐司
名古屋大学工学研究科
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科
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名古屋大学工学研究科
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著作論文
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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