宮崎 英志 | 名古屋大学工学研究科

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概要

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• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 宮崎 英志

  名古屋大学工学研究科

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  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 岸本 茂

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  名大院工

• 合田 祐司

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• 角田 梓

  富山大学工学部

• 前澤 宏一

  富山大学大学院理工学研究部

• 前澤 宏一

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• 前澤 宏一

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• 森 雅之

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• 中山 幸二

  富山大学大学院

• 角田 梓

  富山大学大学院理工学研究部

• 伊藤 泰平

  富山大学大学院理工学研究部

• 安井雄 一郎

  富山大学大学院理工学研究部

• 森雅 之

  富山大学大学院理工学研究部

• 宮崎 英志

  名古屋大学大学院工学研究科

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著作論文

• 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製
• Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3/InSb MOSFET(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3/InSb MOSFET(機能ナノデバイス及び関連技術)

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