角田 梓 | 富山大学工学部

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概要

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• 同名の論文著者
• 富山大学工学部の論文著者

関連著者

• 角田 梓

  富山大学工学部

• 前澤 宏一

  Ntt-lsi研究所

• 前澤 宏一

  NTT LSI Laboratories

• 前澤 宏一

  早大理工

• 森 雅之

  富山大学理工学教育部:研究部

• 森雅 之

  富山大学大学院理工学研究部

• 岩杉 達矢

  富山大学工学部

• 中谷 公彦

  富山大学工学部

• 中山 幸二

  富山大学大学院

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 前澤 宏一

  富山大学 工学部電気電子システム工学科

• 森 雅之

  富山大学工学部

• 前澤 宏一

  富山大学工学部

• 前沢 宏一

  NTT LSI研究所

• 前澤 宏一

  富山大学大学院理工学研究部

• 前澤 宏一

  名古屋大学量子工学専攻

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育部:研究部

• 宮崎 英志

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 宮崎 英志

  名古屋大学

• 角田 梓

  富山大学大学院理工学研究部

• 伊藤 泰平

  富山大学大学院理工学研究部

• 安井雄 一郎

  富山大学大学院理工学研究部

• カマセ サラ

  富山大学

• 中山 幸二

  富山大学工学部

• 宮崎 英志

  名古屋大学大学院工学研究科

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著作論文

• InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製 (電子デバイス)
• 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3/InSb MOSFET(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3/InSb MOSFET(機能ナノデバイス及び関連技術)

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