前澤 宏一 | 富山大学 工学部電気電子システム工学科

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 前澤 宏一

  富山大学 工学部電気電子システム工学科

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育部:研究部

• 前沢 宏一

  NTT LSI研究所

• 前澤 宏一

  名古屋大学量子工学専攻

• 前澤 宏一

  NTT LSI Laboratories

• 前澤 宏一

  早大理工

• 前澤 宏一

  Ntt-lsi研究所

• 森 雅之

  富山大学工学部

• 前澤 宏一

  富山大学工学部

• 森 雅之

  富山大学理工学教育部:研究部

• 森雅 之

  富山大学大学院理工学研究部

• 前澤 宏一

  富山大学大学院理工学研究部

• 森 雅之

  富山大学大学院理工学研究部

• 中谷 公彦

  富山大学工学部

• 森 雅之

  富山大学理工学教育部

• 森 雅之

  富山大学理工学教育学部

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育学部

• 前澤 宏一

  富山大学理工学研究部(工学)

• 早野 一起

  富山大学理工学教育部

• 潘 杰

  富山大学大学院理工学研究部

• 中山 幸二

  富山大学大学院

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 亀谷 直樹

  名古屋大学大学院工学研究科

• 赤松 和弘

  日鉱金属株式会社

• 笠原 康司

  富山大学大学院理工学研究部

• 安井 雄一郎

  富山大学大学院

• 中谷 公彦

  富山大学大学院

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名大院工

• 岩杉 達矢

  富山大学工学部

• 角田 梓

  富山大学工学部

• 柴田 真吾

  富山大学大学院理工学研究部

• 中野 純

  富山大学理工学教育部

• 大勝 崇外

  富山大学理工学教育部

• 中野 純

  富山大学理工学教育部:研究部

• 早野 一起

  富山大学大学院理工学研究部

• カマセ サラ

  富山大学

• 高岡 和央

  富山大学大学院理工学研究部

• 中田 弘章

  日鉱金属株式会社

• 柴田 真吾

  富山大学理工学教育部

• 笠原 康司

  富山大学理工学教育部

• 松田 憲治

  富山大学理工学教育部

• 赤松 和弘

  (株)日鉱金属

• 中田 弘章

  (株)日鉱金属

• 大勝 崇外

  富山大学理工学教育部:研究部

• 柴田 知明

  富山大学理工学教育部

• 柴田 知明

  富山大学理工学教育部:研究部

• 潘 傑

  富山大

• 中山 幸二

  富山大学工学部

• 高岡 和央

  富山大学理工学教育学部

• 高岡 和央

  富山大学理工学研究部

• 前澤 宏一

  富山大

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著作論文

• 共鳴トンネルダイオードを生かす新しい集積化技術
• InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 周波数変調ΔΣAD変換器を用いたデジタルマイクロフォンセンサの可能性(センサデバイス,MEMS,一般)
• C-10-1 Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-12 高性能広帯域デジタル超音波センサのためのGaAs基板上MEMSマイクロフォンの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• C-10-2 Fluidic Self-Assemblyを用いたAlNセラミック上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの集積(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-17 Fluidic Self-Assembly(FSA)のための微小はんだバンプの作製(II)(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-21 High Frequency Oscillators based on Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs
• C-10-20 共用共振器を省略した共鳴トンネル3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• C-10-16 RTDpair発振器の発振周波数に対する測定系の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 次世代エネルギーを再考する

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