共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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共鳴トンネルダイオード(RTD)ペアを装荷したアクティブ伝送線路を用いた発振器の特性をシミュレーションにより調べた.その結果,安定した基本波発振と共に強い9次の高調波の生成が観測された.この高調波が利用できれば,安定なTHz発振器の実現が期待できる.ここでは,この高調波生成の原理,回路の安定性について検討した.その結果,高調波は,高周波のパスバンドにおける周波数ロッキングに起因するものであることを見出した.さらにこの高調波の効率的な取り出し方法について検討し,シミュレーションにより,その効果を調べた.
- 2012-01-31
著者
-
前澤 宏一
富山大学 工学部電気電子システム工学科
-
森 雅之
富山大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学工学部
-
前沢 宏一
NTT LSI研究所
-
前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
-
森 雅之
富山大学大学院理工学研究部
-
前澤 宏一
名古屋大学量子工学専攻
-
前澤 宏一
Ntt-lsi研究所
-
前澤 宏一
NTT LSI Laboratories
-
前澤 宏一
早大理工
-
前澤 宏一
富山大学理工学教育部:研究部
-
森 雅之
富山大学理工学教育部:研究部
-
早野 一起
富山大学理工学教育部
-
潘 杰
富山大学大学院理工学研究部
-
早野 一起
富山大学大学院理工学研究部
-
森雅 之
富山大学大学院理工学研究部
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