Si(111)基板上での30゜回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
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概要
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我々はSi(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜をヘテロエピタキシャル成長させる新しい手法を提案している。ここで形成されるInSbはSi基板に対して面内で30゜回転し、結晶品質及び電子移動度が改善できることが分かっている。しかし、そのInSb単分子層がどのように上部InSb薄膜層に影響を与えているについては、未だ明らかではない。今回、InSb単分子層中のIn層及びSb層の影響を明らかにするために、Si(111)基板上の様々な再構成構造(InSb-2x2,In-2x2,Sb-√3x√3,Sb-2x1)上へInSb薄膜を蒸着し、これをRHEED,XRD,ホール効果測定によって評価した。その結果、In層とSb層の両方(つまり、InSb単分子層)が良質なInSb薄膜形成のために必要であることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-06
著者
-
森 雅之
富山大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学工学部
-
斉藤 光史
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
斉藤 光史
富山大学vbl
-
斉藤 光史
富山大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
上田 広司
富山大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学理工学教育部:研究部
-
斉藤 光史
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
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